【产通社，10月13日讯】华中科技大学（Huazhong University of Science & Technology, HUST）官网消息，材料学院、材料成形与模具技术全国重点实验室翟天佑-李渊团队在新型忆阻器研究方面取得重大突破，成果发表在国际著名期刊《自然 纳米技术》（Nature Nanotechnology）。论文题为“分子晶体忆阻器（Molecular Crystal Memristors）”。

忆阻器作为实现高效能存储与类脑计算的重要硬件载体，一直面临材料易劣化、器件稳定性差、循环寿命短等挑战。研发具备高可靠性、超高能效的新型忆阻材料与器件，成为突破“冯 诺依曼”架构发展瓶颈、推动计算技术革新的迫切需求。团队首创“分子晶体忆阻器”，提出一种全新材料范式，兼具性能与结构稳定性，有望在非冯 诺依曼架构的发展中发挥重要作用。

研究团队采用无机分子晶体作为器件阻变功能层材料，其独特的Sb4O6分子笼结构通过范德华力连接，形成高度一致的分子间隙。该结构确保Ag+离子在晶体内部均匀迁移，有效降低开关随机性，提高器件一致性。器件典型切换能耗理论下限可达?26?zJ（当前忆阻器最低值），同时展现出109次的卓越耐久性。

同时，器件具有可重构的易失性与非易失性阻变行为，可适配从微米至纳米尺度的应用场景。研究团队已成功制备8英寸晶圆级规模的交叉阵列，充分体现其产业化潜力。将该忆阻器集成到单片CMOS芯片，实现“储备池计算（Reservoir Computing）”功能。在动态视觉识别任务中达到100%准确率，首次展示了分子晶体忆阻器在类脑计算系统中的实际应用潜力。

查询进一步信息，请访问官方网站http://news.hust.edu.cn/info/1003/56419.htm，以及https://www.nature.com/articles/s41565-025-02013-z。（Robin Zhang，产通数造）    （完）