【产通社，8月27日讯】深圳安培龙科技股份有限公司（Shenzhen Ampron Technology Co.,Ltd.；股票代码：301413）消息，其近日收到国家知识产权局颁发的1项《发明专利证书》，现将本次取得的发明专利具体情况公告如下：
基于SOI的低零漂压力芯片高效制备方法及系统
专利号：ZL 2025 1 0736419.1
专利申请日：2025年06月04日
授权公告日：2025年08月15日

本发明提供一种基于SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘体上硅）的低零漂压力芯片高效制备方法及系统，分析现有制备材料对应的材料性能参数，从预设材料库中筛选出现有制备材料对应的协同制备材料；对压力芯片进行有限元仿真处理，得到压力芯片仿真模型，计算压力芯片仿真模型对应的结构挠曲度；配置压力芯片的模拟环境条件，计算压力芯片仿真模型对应的零点漂移离散度；计算出压力芯片仿真模型对应的芯片温漂系数；从协同制备材料和现有制备材料中确定压力芯片对应的高效制备材料，对芯片制备路径进行参数优化，得到低零漂制备路径，执行对压力芯片的制备处理，得到芯片成品。本发明可以提高SOI的低零漂压力芯片的制备效率，应用于机器人、汽车、工业、航空航天等各种需要测量压力和力传感器的领域。

本项发明专利涉及公司自主研发的一种基于SOI的低零漂压力芯片的创新型核心制备技术，该技术目前尚未量产，短期内不会对公司的经营业绩构成重大影响，未来将陆续在公司相关业务中应用。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.ampron.com。（镨元素，产通数造）    （完）