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IRF6718采用大罐式DirectFET封装可实现卓越的效率
2009/8/12 7:28:05     

【产通社,8月11日讯】国际整流器公司(International Rectifier) 网站消息,其IRF6718 DirectFET MOSFET器件提供业界最低的通态电阻RDS(on),并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封装的器件,与同类器件相比拥有更低的通态电阻,可实现卓越的效率及热性能,适合于高密度DC-DC应用,如比D2PAK尺寸更小的服务器。另外,该器件还有助于节省电路板空间及整体系统的成本,因为在特定功率损耗下,它比现有解决方案使用更少的器件。”

IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术,提供极低的通态电阻(在10VVgs时典型为0.5mΩ),同时比D2PAK 的占位面积缩小60%,高度缩小85%。新器件大幅减少了有关旁路元件的传导损耗,从而大大提高整体系统的效率。

此外,IRF6718为电子保险丝及热插拔电路实现了改善的安全工作区(SOA)能力。该器件采用无铅设计,并符合RoHS标准。

IRF6718是IR针对DC开关应用的25V DirectFET系列的衍生产品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也适合DC开关应用,并且在各自的PCB尺寸内提供业界最佳的通态电阻。

IR已开始接受量产订单。查询进一步信息,请访问http://www.irf.com

    (完)
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