【产通社，3月25日讯】安世半导体（Nexperia）官网消息，其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。


产品特点


Nexperia此次发布的E-mode GaN FET新产品包括新型低压40 V双向器件(RDSon<12 m?)，以便支持过压保护(OVP)、负载切换和低压应用，如移动设备和笔记本电脑中的电池管理系统(BMS)。此外，此次发布还推出了100 V和150 V器件(RDSon<7m?)，这些器件适用于消费电子设备的同步整流(SR)电源、数据通信和电信设备中的DC-DC转换器、光伏微型逆变器、D类音频放大器，以及电动自行车、叉车和轻型电动车(LEV)中的电机控制系统。而在高压领域，新产品包括700 V器件(RDSon>140 m?)（用于支持LED驱动器和功率因素校正(PFC)应用），以及650 V器件(RDSon>350 m?)（适用于AC/DC转换器）。

Nexperia E-mode GaN FET技术凭借其超低的QG和QOSS值，提供了出色的开关性能。这些新器件提供了业界领先的品质因数(FOM)，因此非常适合用于高效电源解决方案。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.cn/gan-fets。（张怡，产通发布）    （完）