【产通社，3月12日讯】罗姆株式会社（ROHM Semiconductor；东京证交所股票代码：6963.T）官网消息，其面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻和超宽SOA范围的Nch功率MOSFET。

新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）电路的RS7E200BG（30V），以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的RS7N200BH（80V）和RS7N160BH（80V）。


产品特点


随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速，对支撑数据中心的服务器的需求不断增加。此外，对具有高级计算能力的AI处理服务器的需求也呈增长趋势，预计未来将会持续增长。由于这些服务器需要24小时不间断运转（始终通电），因此电源单元中使用的多个MOSFET的导通电阻造成的导通损耗，会对系统整体性能和能效产生很大影响。特别是在AC-DC转换电路中，其导通损耗占比较高，因此需要使用导通电阻低的MOSFET。另外，服务器配备了热插拔功能，可以在通电状态下更换和维护内部的板卡和存储设备，在更换等情况下，服务器内部会产生较大的浪涌电流。因此，更大的安全工作区范围（宽SOA范围）对于保护服务器内部和MOSFET而言至关重要。对此，ROHM新开发出一种DFN5060-8S封装，与以往封装形式相比，封装内部的芯片可用面积增加，从而开发出实现业界超低导通电阻和宽SOA范围的功率MOSFET。新产品非常有助于提高服务器电源电路的效率和可靠性。

新产品均采用新开发的DFN5060-8S（5.0mm×6.0mm）封装，与以往的HSOP8（5.0mm×6.0mm）封装相比，封装内的芯片可用面积增加了约65%。这使得新产品能够以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现业界超低导通电阻，30V产品“RS7E200BG”的导通电阻仅为0.53mΩ（Typ.），80V产品“RS7N200BH”仅为1.7mΩ（Typ.），非常有助于提高服务器电源电路的效率。

另外，通过优化封装内部的夹片形状设计，提高了散热性能，同时提高了有助于确保应用产品可靠性的SOA范围。尤其是30V产品“RS7E200BG”，其SOA范围达70A以上（条件：脉冲宽度=1ms、VDS=12V时），与以往的HSOP8封装产品相比，在相同条件下SOA范围提高了一倍，从而以5.0mm×6.0mm的封装尺寸实现了业界超高的SOA范围。


供货与报价


新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产（样品价格：710日元/个，不含税）。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本滋贺工厂），后道工序的生产基地为OSAT（泰国）。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Oneyac、Sekorm等电商平台均可购买。

查询进一步信息，请访问官方网站http://micro.rohm.com.cn/mus-ic。（张怡，产通发布）    （完）