【产通社，11月27日讯】意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）官网消息，其STGAP3S系列碳化硅（SiC）和IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。 


产品特点


STGAP3S在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间采用增强型电容隔离，瞬态隔离电压（VIO）耐压9.6kV，共模瞬态抗扰度（CMTI）达到200V/ns。通过采用这种的先进的电隔离技术，STGAP3S提高了空调、工厂自动化、家电等工业电机驱动装置的可靠性。新驱动器还适合电源和能源应用，包括充电站、储能系统、功率因数校正（PFC）、直流-直流转换器和太阳能逆变器。 

STGAP3S产品系列为开发者提供不同的产品型号选择 ，其中包括驱动电流10A和6A的产品，两种产品都具有不同的欠压锁定（UVLO）和去饱和干预阈值，帮助设计人员选择与其所选的SiC MOSFET或IGBT功率开关管性能最匹配的驱动器。 

去饱和保护功能实现了对外部功率开关管的过载和短路保护，可以使用外部电阻调整功率开关管的关断策略，调整关断速度来最大限度地提高保护功能，同时避免出现过多的过压尖峰。欠压锁定保护可防止驱动电压不足时导通。 

驱动器集成的米勒钳位架构为外部N沟道MOSFET提供一个预驱动器。因此，设计人员可以灵活地选择合适的干预速度，以防止感应导通，并避免交叉导通。 

现有的产品型号包括驱动能力10A 拉/灌电流和6A拉/灌电流的驱动器，针对IGBT或SiC优化的去饱和检测和UVLO 阈值，让开发者所选的功率开关发挥极致性能。去饱和、UVLO和过热保护的故障情况通过两个专用的开漏诊断引脚通知控制器。


供货与报价
 

STGAP3SXS现已投产，采用 SO-16W 宽体封装。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.st.com/ftgap3s。（张怡，产通发布）    （完）