【产通社，11月8日讯】德州仪器（Texas Instruments Incorporated；NASDAQ股票代码：TXN）官网消息，其基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，加上已有 GaN 制造产能，德州仪器的 GaN 功率半导体自有制造产能将提升至原来的四倍。

德州仪器技术和制造集团高级副总裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片设计和制造领域数十年的专业知识，我们已成功验证了德州仪器 8 英寸 GaN 技术并将开始大规模生产。这种 GaN 制造方式在目前阶段拥有显著的可扩展性和成本优势，颇具里程碑意义，可助力我们不断扩大 GaN 芯片的自有制造。到 2030 年，我们的自有制造产能将增至 95% 以上，同时实现从多个德州仪器工厂供货，从而确保我们高功率、高能效 GaN 半导体产品全系列的可靠供应。”

德州仪器新增的 GaN 产能所带来的性能优势还包括，可以支持公司将 GaN 芯片应用扩展到更高的电压范围，起始电压为900V，并随时间推移扩展至更高电压，进一步推动机器人、可再生能源和服务器电源等应用在功效和尺寸方面的创新。

德州仪器的扩大投资还包括今年年初成功开展的在 12 英寸晶圆上开发 GaN 制造工艺的试点项目。此外，德州仪器扩展后的 GaN 制造工艺可全面转为采用 12 英寸技术，使公司可根据客户需求迅速扩展规模并为未来转为 12 英寸技术做好准备。

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