加入收藏
 免费注册
 用户登陆
首页 展示 供求 职场 技术 智造 职业 活动 视点 品牌 镨社区
今天是:2025年5月2日 星期五   您现在位于: 首页 →  产通直播 → STEAM(学术科研)
中科院微电子所在Ga中科院微电子所在GaN器件研究方面取得重要进展
2024/10/24 17:33:06     

按此在新窗口浏览图片

【产通社,10月24日讯】中国科学院微电子研究所(Microelectronice of Chinese Academy of Sciences)官网消息,在刘新宇研究员带领下,高频高压中心GaN研究团队在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索,取得了重要进展。

在高频高效率器件方向,团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件,解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题,在连续波测试条件中,30GHz的功率附加效率(PAE)为49.7%功率密度为5.90W/mm。

在限幅器方向,团队采用全GaN SBD-MMIC技术的限幅器, 利用全GaN肖特基势垒二极管来实现的单片微波集成电路(全GaN SBD-MMIC)技术,研制的限幅器显示出高在连续波模式(CW)下,入射功率超过50W脉冲模式下为125W,插入损耗(IL)小于1dB@8GHz,具备39纳秒的创纪录的快速恢复时间,拓展了宽禁带材料在GaN SBD的限幅器领域的应用前景。

在电源驱动电路方向,团队开发了一款GaN基单片包络跟踪电源调制器,集成了传统GaN开关功率放大器所需要的预防大级并采用了双端反自举电路,实现了对20MHz带宽,6.5dB的射频包络信号的跟踪;采用电源调制器对连续F类PA进行供电实现包络跟踪功率放大器应用,在2.7GHz载波频率,20MHz信号带宽,6.5dB峰均功率比及30.6dBm的输出功率下,系统效率比单独PA效率提升8%。

上述研究得到多个重要任务的支持,成果分别以Ka band GaN MIS-HEMT with ALD-SiN gate dielectric and Lp-SiN passivation layer、Record Fast Recovery Performance from Microwave High-Power Limiters with All-GaN SBD-MMIC Technology:39ns@100W和A Monolithic GaN Based Supply Modulator with Dual-Antibootstrap Level Shifter for Envelope Tracking Application为题入选2024年国际微波会议(IMS2024),并应邀作口头报告。

????2024国际微波研讨会(International Microwave Symposium 2024) 是由电气与电子工程师学会(IEEE)微波理论和技术分会(MTT-S)主办,已有70多年历史,涵盖了射频、微波、毫米波等领域,从模块设计到系统应用的所有方向,是微波领域的顶级会议之一。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.ime.cas.cn/zhxx/zhxw/202409/t20240929_7389427.html。(Robin Zhang,产通数造)N器件研究方面取得重要进展

news/n2012423121148.gif  

【产通社,10月24日讯】中国科学院微电子研究所(Microelectronice of Chinese Academy of Sciences)官网消息,在刘新宇研究员带领下,高频高压中心GaN研究团队在高频高效率器件、限幅器、电源驱动电路等研究方向进行了创新性研究和探索,取得了重要进展。

在高频高效率器件方向,团队采用LP-SiN结合ALD超薄栅介质技术制备的0.15μm栅长AlGaN/GaN毫米波 MIS-HEMT功率器件,解决了现有HEMT器件肖特基漏电大、效率低的问题,在连续波测试条件中,30GHz的功率附加效率(PAE)为49.7%功率密度为5.90W/mm。

在限幅器方向,团队采用全GaN SBD-MMIC技术的限幅器, 利用全GaN肖特基势垒二极管来实现的单片微波集成电路(全GaN SBD-MMIC)技术,研制的限幅器显示出高在连续波模式(CW)下,入射功率超过50W脉冲模式下为125W,插入损耗(IL)小于1dB@8GHz,具备39纳秒的创纪录的快速恢复时间,拓展了宽禁带材料在GaN SBD的限幅器领域的应用前景。

在电源驱动电路方向,团队开发了一款GaN基单片包络跟踪电源调制器,集成了传统GaN开关功率放大器所需要的预防大级并采用了双端反自举电路,实现了对20MHz带宽,6.5dB的射频包络信号的跟踪;采用电源调制器对连续F类PA进行供电实现包络跟踪功率放大器应用,在2.7GHz载波频率,20MHz信号带宽,6.5dB峰均功率比及30.6dBm的输出功率下,系统效率比单独PA效率提升8%。

2024国际微波研讨会(International Microwave Symposium 2024) 是由电气与电子工程师学会(IEEE)微波理论和技术分会(MTT-S)主办,已有70多年历史,涵盖了射频、微波、毫米波等领域,从模块设计到系统应用的所有方向,是微波领域的顶级会议之一。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.ime.cas.cn/zhxx/zhxw/202409/t20240929_7389427.html。(Robin Zhang,产通数造)    (完)
→ 『关闭窗口』
 365pr_net
 [ → 我要发表 ]
上篇文章:中国科大提出协同量子精密测量新技术
下篇文章:芯海科技通过国家级“专精特新”小巨人企业复核
  → 评论内容 (点击查看)
您是否还没有 注册 或还没有 登陆 本站?!
 分类浏览
官网评测>| 官网  社区  APP 
STEAM>| 学术科研  产品艺术  技术规范  前沿学者 
半导体器件>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电子元件>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
消费电子>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
商业设备>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电机电气>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电子材料>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电子测量>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
电子制造>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
应用案例>| 家庭电子  移动电子  办公电子  通信网络  交通工具  工业电子  安全电子  医疗电子  智能电网  固态照明 
工业控制>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
通信电子>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
交通工具>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
基础工业>| 产品通报  企业动态  VIP追踪 
农业科技>| 产品通报  企业动态  专家追踪 
信息服务>| 企业动态 
光电子>| 企业动态 
关于我们 ┋ 免责声明 ┋ 产品与服务 ┋ 联系我们 ┋ About 365PR ┋ Join 365PR
Copyright @ 2005-2008 365pr.net Ltd. All Rights Reserved. 深圳市产通互联网有限公司 版权所有
E-mail:postmaster@365pr.net 不良信息举报 备案号:粤ICP备06070889号