【产通社，8月12日讯】中国科学院微电子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官网消息，氧化物随即存储器因其较长的保持时间和有利于三维堆叠的优点，成为国际学术和产业界的关注点，其中In2O3-基薄膜晶体管由于其高迁移率而备受关注。In2O3中氧的不稳定性直接影响到器件的可靠性，为克服这一问题，传统的Ga或Zn掺杂需要较高的掺杂浓度，在提升器件可靠性的同时减低了迁移率。因此，需要提出更新的氧化物半导体材料体系，突破In2O3-基薄膜晶体管的迁移率和可靠性制约问题。

针对这一问题，微电子所高频高压中心研究团队提出了一种通过GeO2和In2O3共溅射的方法，利用GeO2主动消耗氧空位的机制，制备了Ge掺杂的InGeO薄膜晶体管。研究人员通过材料表征，对其进行了迁移率和可靠性测试，证明了该材料体系可以大大提升器件的可靠性，同时不过度损失In2O3的本征迁移率，在实验上验证了GeO2对氧空位的消耗作用。通过自主搭建的“可变光电流法（VPM）”测试系统，表征了Ge掺杂对In2O3深能级缺陷的调控。根据该机理，研究人员得到了突破迁移率、可靠性制约的InGeO薄膜晶体管。

该研究成果以题为“Ge-doped In2O3: First Demonstration of Utilizing Ge as Oxygen Vacancy Consumer to Break the Mobility/Reliability Tradeoff for High Performance Oxide TFTs”入选2024年VLSI会议，并做口头报告。微电子所王嘉义助理研究员、白子恒助理研究员为共同第一作者，王盛凯研究员、李泠研究员为通讯作者。

查询进一步信息，请访问官方网站http://ime.cas.cn/kygz/kydt/index_1.html。（Robin Zhang，产通数造）    （完）