【产通社，6月6日讯】安世半导体（Nexperia）官网消息，其现推出业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件（SMD）封装，有30、40、60和80mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80mΩ且封装灵活的器件。 


产品特点


随着NSF0xx120D7A0的发布，Nexperia正在满足市场对采用D2PAK-7等SMD封装的高性能SiC开关日益增长的需求，这种开关在电动汽车（EV）充电（充电桩）、不间断电源（UPS）以及太阳能和储能系统（ESS）逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了Nexperia与三菱电机公司（MELCO）之间成功的战略合作伙伴关系，两家公司联手将SiC宽带隙半导体的能效和电气性能推向了新的高度，同时还提高了该技术的未来生产能力，以满足不断增长的市场需求。 

RDSon是SiC MOSFET的一个关键性能参数，因为它会影响传导功率损耗。然而，许多制造商只关注标称值，而忽略了一个事实，即随着设备工作温度的升高，RDSon相比室温下的标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的传导损耗。Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的RDSon温度稳定性，在25°C至175°C的工作温度范围内，RDSon的标称值仅增加38%。 

严格的阈值电压VGS（th）规格使这些MOSFET分立器件在并联时能够提供平衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压（VSD）有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.cn/sic-mosfets。（张怡，产通发布）    （完）