【产通社，7月15日讯】恩智浦半导体（NXP Semiconductors）网站消息，其全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。PSMN1R2-25YL是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源OR-ring、电机控制和高效同步降压器等。 

产品特点
 

恩智浦资深国际市场产品经理John David Hughes先生表示：“在MOSFET制造技术领域，改善性能是一场旷日持久的竞赛。我们在新Trench 6工艺中采用创新技术，进一步减小了导通电阻。对客户而言，这一新的Trench技术为他们带来许多优势，例如提高的硅技术开关效率、出色的电阻和热阻封装性能。恩智浦Power-S08 (LFPAK)封装与广为使用的Power SO-8 PCB封装相兼容。”

领先全球的恩智浦Trench 6 MOSFET PSMN1R2-25YL，采用Power-S08 (LFPAK)封装时25V MOSFET的RDSon是0.9毫欧（典型值），30V MOSFET的RDSon达到1.0毫欧（典型值）。 

除了全球最低RDSon MOSFET之外，恩智浦还宣布推出面向电源、电机控制和工业市场的新产品系列。该系列产品的工作电压为25V、30V、40V和80V，采用Power-S08 (LFPAK)和TO220封装。

上市时间及报价
 

PSMN1R2-25YL现已上市。有关恩智浦新型Trench 6 MOSFET器件的数据手册和更多信息，请访问http://www.nxp.com/infocus/topics/lowest_rds_mosfet/index.html。