【产通社，4月22日讯】苏州长光华芯光电技术股份有限公司（Suzhou Everbright Photonics Co.,Ltd.；股票代码：688048）官网消息，“2024激光金耀奖（GloriousLaserAward，简称GLA）”颁奖典礼3月19日在上海龙之梦万丽酒店隆重举行。“金耀奖”从多个维度评选在技术或应用上极具前瞻性、创新性和行业引领性的的产品，旨在推介对中国激光行业产生重大影响的优秀成果和优秀产品，长光华芯50W高功率半导体单管芯片荣获“2024年激光金耀奖”新技术金奖！本次获奖的50W高功率半导体单管芯片于2023年5月推出，波长9XXnm，条宽330μm，高功率、长寿命、高亮度、高效率，已向市场批量供货。

高功率半导体激光芯片是激光产业链的基石与源头，激光芯片的功率、亮度、可靠性直接影响激光系统的性能、体积与成本。为提高激光器泵源的输出功率和价格功率比，长光华芯持续提升半导体激光芯片的输出功率和转换效率，助力泵浦源向着小型化、轻量化、智能化快速发展，持续赋能智能制造。

长光华芯专注于研发和生产半导体激光芯片、器件及模块等，核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题，建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD（外延）、FAB晶圆流片、解理/镀膜、封装、测试、光学耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线，拥有2吋、3吋、6吋三大量产线，边发射EEL、面发射VCSEL两大产品结构，GaAs砷化镓、InP磷化铟、GaN氮化镓三大材料体系，是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一，有力推动了我国超高功率激光技术及其应用的快速发展。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.everbrightphotonics.com/news/64.html。（张怡，产通发布）    （完）