【产通社，3月15日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官网消息，其高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD）适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。


产品特点


新产品采用高速二极管，旨在改善桥式电路和逆变电路应用中至关重要的反向恢复特性。与标准型DTMOSVI相比，新产品将反向恢复时间（trr）缩短了65%，并将反向恢复电荷（Qrr）减少88%（测试条件：-dIDR/dt＝100A/μs）。

新产品采用的DTMOSVI（HSD）工艺改善了东芝DTMOSIV系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢复特性，并在高温下具有更低的漏极截止电流。此外，新产品的品质因数“漏极-源极导通电阻×栅极-漏极电荷”也更低。相较于东芝现有的TK62N60W5器件，TK042N65Z5的高温漏极截止电流降低了约90%，漏极-源极导通电阻×栅极-源极电荷降低了72%。这将一进步将降低功率损耗，有助于提高产品效率。在1.5kW LLC电路测试中，与使用TK62N60W5相比，使用TK042N65Z5可使电源效率提高约为0.4%。

即日起，客户可在东芝网站上获取使用TK095N65Z5的参考设计1.6kW服务器电源（升级版）。此外，东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外，现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。


供货与报价


东芝计划在未来扩展DTMOSVI（HSD）的产品线。新器件将采用TO-220和TO-220SIS通孔型封装，以及TOLL和DFN 8í8表贴型封装。首批采用TO-247封装的两款650V N沟道功率MOSFET产品TK042N65Z5和TK095N65Z5，于今日开始支持批量出货。查询进一步信息，请访问官方网站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news.html。（张怡，产通发布）    （完）