【产通社，3月6日讯】安世半导体（Nexperia）官网消息，其再次在APEC上展示几款新型MOSFET产品，进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100V应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40V NextPowerS3 MOSFET。

Nexperia MOSFET营销和产品部总监Chris Boyce说道：“通过在APEC 2024上推出我们的分立式FET解决方案的最新产品系列，Nexperia展示了我们如何利用我们专业的研发知识来提供优化的解决方案。新型100V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改进的EMC性能都表明了我们坚定支持工程师克服各种应用挑战的决心。这些创新凸显了Nexperia致力于提供高效、紧凑和可靠的解决方案，帮助我们的客户在当今不断发展的市场中取得成功。”


产品特点


PoE交换机通常有多达48个端口，每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96个MOSFET，小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。为此，Nexperia发布了采用2 x 2mm DFN2020封装的100 V PoE ASFET，与以前采用LFPAK33封装的版本相比，占用的空间减少了60%。这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而RDS(on)只有非常微小的增幅。这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用，并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。

由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期，解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。典型的解决方案包括使用更昂贵且RDS(on)较低的MOSFET（以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃）或安装外部电容缓冲器电路，但这种方法的缺点是会增加元件数量。Nexperia优化了其40V NextPowerS3 MOSFET，以提供与使用外部缓冲器电路可实现的相似的EMC性能，同时还提供更高的效率。这些MOSFET采用LFPAK56封装，适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://nexperia.cn/asfets-for-poe，以及http://nexperia.cn/nextpowers3。（张怡，产通发布）    （完）