【产通社，1月9日讯】江苏协昌电子科技股份有限公司（JIANGSU XIECHANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD；股票代码：301418）消息，其近日收到由中华人民共和国国家知识产权局授予的两项发明专利证书，专利证书具体情况如下：

一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制备方法
ZL201910376360.4
2019年05月07日
2023年12月19日
第6569557号
发明专利“一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制备方法”涉及到一种半导体功率器件，尤其是一种具有低功耗屏蔽栅型半导体功率器件及其制备方法。本发明所解决的技术问题是：提供一种低功耗屏蔽栅型半导体功率器件，避免了栅氧层在多晶硅上的生长步骤，提高了栅极氧化层的可靠性。且引入沟槽底部的浮置阱结构，提高了器件的耐压能力。

一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET
ZL202310916422.2
2023年07月25日
2023年12月19日
第6569525号
发明专利“一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET”涉及到一种屏蔽栅沟槽MOSFET，尤其涉及到一种低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET。本发明所解决的技术问题是：提供一种通过对其沟槽中内部结构的改进来降低栅极内阻的低栅极内阻屏蔽栅沟槽MOSFET。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.jsxiechang.com。（Robin Zhang，产通数造）    （完）