【产通社，12月4日讯】安世半导体（Nexperia）官网消息，其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200V分立器件，RDS(on)分别为40mΩ 和80mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等汽车和工业应用对高性能SiC MOSFET的需求。

Nexperia高级总监兼SiC产品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱电机希望通过这两款首发产品为市场带来真正的创新，这个市场一直渴望更多的宽禁带器件供应商。Nexperia现可提供SiC MOSFET器件，这些器件在多个参数上都具有一流的性能，例如超高的RDS(on)温度稳定性、较低的体二极管压降、严格的阈值电压规格以及极其均衡的栅极电荷比，能够安全可靠地防止寄生导通。这是我们与三菱电机承诺合作生产高质量SiC MOSFET的开篇之作。毫无疑问，在未来几年里，我们将共同推动SiC器件性能的发展。”

三菱电机半导体与器件部功率器件业务高级总经理Toru Iwagami表示：“我们很高兴与Nexperia携手推出这些新型SiC MOSFET，这也是我们合作推出的首批产品。三菱电机在SiC功率半导体方面积累了丰富的专业知识，我们的器件实现了多方面特性的出色平衡。”


产品特点


RDS(on)会影响传导功率损耗，是SiC MOSFET的关键性能参数。Nexperia认为这是目前市场上许多SiC器件性能的限制因素。但是通过创新工艺技术，Nexperia首款SiC MOSFET实现了业界领先的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDS(on)的标称值仅增加38%。这与市场上其他许多目前可用的SiC器件不同。

Nexperia SiC MOSFET的总栅极电荷(QG)非常低，由此可实现更低的栅极驱动损耗。此外，Nexperia通过平衡栅极电荷，使QGD与QGS比率非常低，这一特性又进一步提高了器件对寄生导通的抗扰度。 

除了正温度系数外，Nexperia SiC MOSFET的VGS(th)阈值电压器件间分布差异极低，这使得器件并联工作时，在静态和动态条件下都能实现非常均衡的载流性能。此外，较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率，同时还能放宽对异步整流和续流操作的死区时间要求。


供货与报价


Nexperia未来还计划推出车规级MOSFET。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0现已投入大批量生产。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.cn/sic-mosfets。（张怡，产通发布）    （完）