【产通社，10月10日讯】创意电子（Global Unichip Corp.；TWSE股票代码：3443）官网消息，其采用台积电5nm制程技术的HBM3 IP解决方案已通过8.4Gbps流片验证。此方案采用台积电领先业界的CoWoS技术，以结合功能完善的HBM3控制器、物理层IP，以及厂商HBM3内存。该平台已于2023年台积电北美技术论坛的合作伙伴展示区内公开展示。

自2020年起，许多客户皆采用创意电子旗下的HBM控制器和物理层IP来进行HPC ASIC生产。而HBM内存厂商正持续将传输率和内存大小从HBM3提升至HBM3E/P，并在HBM4进一步加宽信号总线宽度。然而，在基本DRAM时序参数未改变的情况下，HBM控制器亦需不断强化以提高总线利用率。创意电子的HBM3控制器可在随机存取操作时，实现超过90%的总线利用率并保有低延迟性。创意电子采用台积电5nm技术的HBM3 IP已通过流片验证，并已推出采用3nm的HBM3 IP, 此IP支持台积电CoWoS-S和CoWoS-R，并可达到目前尚在规划中的下一代HBM3E/P内存的速度。

鉴于Level 4自动驾驶计算机讲求爆发性的运算能力，车用处理器纷纷开始采用2.5D小芯片架构和HBM3内存。在严苛的车用环境和高可靠性要求下，持续监控2.5D互连和替换故障通道都成为不可或缺的环节。创意电子在旗下的所有HBM和晶粒对晶粒接口测试芯片中整合了proteanTecs的运作状况和效能监控解决方案。proteanTecs的技术现已通过创意电子5nm HBM3 IP完成8.4Gbps速度的流片验证。在现场作业数据传输期间，I/O信号质量将持续受到监控，且不须任何再训练或中断传输。每个信号通道都会个别进行监控，以先行识别和修复缺陷，从而避免其造成系统故障，并延长芯片使用寿命。

创意电子总经理戴尚义博士表示：“我们很荣幸能展示全球第一款8.4Gbps HBM3控制器和物理层IP设计方案。创意电子采用台积电的7nm、5nm和3nm技术，建立了完备的2.5D/3D小芯片IP产品组合。本公司将结合包括CoWoS、InFO和TSMC-SoIC在内的多项台积电3DFabric技术设计专业，为客户的人工智能（AI）/高效能运算（HPC）/xPU/网络/先进驾驶辅助系统（ADAS）产品提供稳健且全方位的解决方案。”

创意电子技术长Igor Elkanovich提到：“我们在2.5D小芯片产品领域累积了深厚的制造经验，不仅藉此定义出最严谨的验证标准，更为旗下IP提供全方位的诊断功能，可满足全球先进汽车制造商最严格的质量条件。使用HBM3、GLink-2.5D/UCIe及GLink-3D界面于2.5D与3D封装的趋势有助于日后研发出高度模块化、以小芯片为基础且不受限于光罩尺寸的新一代处理器。”

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