【产通社，9月18日讯】意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）官网消息，其新系列IGBT晶体管将击穿电压提高到1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。

 
产品特点


STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关参数十分出色，例如，饱和电压Vce(sat很低，确保器件在导通状态下耗散功率很低。续流二极管的压降很低，关断电能得到优化，让工作频率16kHz至60kHz的单开关准谐振转换器具有更高的能效。 

新IGBT具有很好的耐变性和能效，非常适合电磁加热设备，包括厨房炉灶、变频微波炉、电饭锅等家用电器。在2kW应用中，意法半导体的新型IGBT器件可将功耗降低11%。 

此外，Vce(sat具有正温度系数效应，器件之间紧密的参数分布有助于简化设计，并轻松并联多个IGBT管，以满足高功率应用需求。 


供货与报价


该系列先期推出的两款器件25A STGWA25IH135DF2和35A STGWA35IH135DF2现已量产，采用标准TO-247长引线功率封装。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.st.com/stpower-ih2-series-igbts。（张怡，产通发布）    （完）