【产通社，8月29日讯】湖北台基半导体股份有限公司（R&D Electronics；股票代码：300046）消息，其近日获得国家知识产权局授予的两项发明专利证书。

《大尺寸高功率脉冲晶闸管》专利号ZL201711364219.X，专利申请日2017年12月18日，授权公告日2023年8月18日，证书号第6248053号。发明专利“大尺寸高功率脉冲晶闸管”，属于功率半导体器件技术和脉冲功率技术领域，主要是解决普通晶闸管开通 di/dt 低于1200A/μS和瞬态浪涌电流Itsm低于90kA的问题，单只器件的脉冲峰值电流 Ipm 可达 200kA~500kA，阻断电压达到 4500V~7500V，di/dt 达到 2kA/μS~5kA/μS。

《高压双向晶闸管及其制造方法》专利号ZL201711329371.4，专利申请日2017年12月13日，授权公告日2023年8月18日，证书号第6247672号。发明专利“高压双向晶闸管及其制造方法”，属于功率半导体器件技术领域，主要是解决高压晶闸管反并联后串联，结构件较多、复杂等缺点，能够明显提高双向晶闸管器件的耐压和工作可靠性，主要应用于交流电机控制、高压防爆软启动器装置。

上述发明专利为公司自主研发，已在公司相关产品上应用。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.tech-sem.com。（Robin Zhang，张底剪报）    （完）