【产通社，6月16日讯】RF Micro Devices（纳斯达克股市代号：RFMD）消息，已成立一个氮化镓(GaN)晶圆代工服务业务部门，针对多个射频功率市场提供高可靠性、高性能、具有价格优势的GaN半导体技术。RFMD GaN代工服务业务部门利用公司在砷化镓(GaAs)制造能力和周期时间方面的行业领先地位，以及一系列新的客户服务，推动缩短产品上市时间，并尽量减少初始晶圆订购到最后交货之间的时间。RFMD是GaA化合物半导体行业领先制造商。RFMD的GaN制造与其GaAs制造是可互换的，并直接受益于RFMD业内领先的晶圆制造能力的规模和专业技术。

RFMD多市场产品组总裁Bob Van Buskirk指出，“RFMD的代工服务业务部门使GaN代工客户有机会利用RFMD业内领先的化合物半导体技术及生产设备，及RFMD规模制造的许多益处，包括可靠性、统一性、周期时间和质量。RFMD GaN是一项能改变射频功率元件行业的突破性技术，因为它具有出色的线性、带宽和射频功率密度。此外，RFMD GaN是一项‘绿色’技术，可达到比以前更高的效率，因此只需较低功耗即可实现类似性能，或以类似的功耗水平实现更佳性能。”

RFMD提供的GaN代工服务是业内独有的，因为RFMD经营着业内最大的GaAs制造晶圆厂(fab)，已为客户提供了数十亿高可靠性、高品质的基于化合物半导体的射频元件。通过利用现有的高产量生产资产，RFMD能为代工客户提供具有可预测性、业内领先的可靠性及更高统一性的GaN技术。RFMD提供业内领先的周期时间，估计其GaN通过晶圆制造工厂的周期时间通常比其竞争对手快30-40%。

此外，通过利用RFMD对半导体工艺模型的深入了解准确预测产品性能，RFMD的代工服务业务部门能通过减少满足客户规格所需的试验模型数，降低客户开发成本，有望受益于RFMD GaN的客户应用包括商业和国防功率应用方面，其涵盖无线基础设施、有线电视线路放大器、宽带通信、功率放大器和各种防御雷达系统。

另外，RFMD的代工服务客户可获得成熟的代工服务支持团队的服务，他们具备关于代工客户期望和要求的第一手知识。RFMD的代工服务支持团队结合了作为代工服务客户及代工服务供应商的50年代工服务经验。此外，RFMD的代工服务支持团队已经实施了一整套服务，可最大限度地减少从订单输入到客户交付的总时间。这些服务包括能实现高概率初步成功的模拟模型，及能实现较少或无排队时间的业务流程。

RFMD GaN是一种新一代化合物半导体技术，具有比其他竞争技术更高的功率密度和击穿电压，非常适合高性能功率器件。RFMD GaN的典型工作规格参数包括工作电压为48或65，功率密度为6至8瓦/毫米，FT为11GHz，F最大值为18GHz，在150°CT通道工作时的平均无故障时间大于108小时。

查询进一步信息，请访问http://www.rfmd.com。