【产通社，7月27日讯】Diodes公司（NASDAQ股票代码：DIOD）官网消息，其DMWSH120H90SM4Q和DMWSH120H28SM4Q两款符合汽车规格的碳化硅（SiC）MOSFET，进一步强化宽能隙（Wide-Bandgap）产品阵容。此系列N信道MOSFET产品可满足市场对SiC解决方案不断增长的需求，提升电动与混合动力汽车（EV/HEV）车用子系统的效率及功率密度，例如电池充电器、车载充电器（OBC）、高效DC-DC转换器、马达驱动器及牵引变流器。


产品特点


DMWSH120H90SM4Q可在最高1200VDS范围内安全可靠地运作，其闸极-源极（Gate-Source）电压（Vgs）为+15/-4V，且在15Vgs时具有75mΩ（典型值）的RDS(ON)规格。此装置适用于OBC、汽车马达驱动器、EV/HEV中的DC-DC转换器以及电池充电系统。

DMWSH120H28SM4Q可在最高1200VDS、+15/-4Vgs的条件下运作，且在15Vgs时具有较低的20mΩ（典型值）RDS(ON)。此MOSFET适用于其他EV/HEV子系统中的马达驱动器、EV牵引变流器及DC-DC转换器。凭借低RDS(ON)的特性，在需要高功率密度的产品应用中，此系列MOSFET能以较低的温度运作。

这两款产品均有低导热率（RθJC=0.6°C/W），DMWSH120H90SM4Q的汲极（Drain）电流高至40A，DMWSH120H28SM4Q的汲极电流高至100A。此系列也内建快速且稳健的本体二极管（Body Diodes），具有低反向复原电荷（Qrr），在DMWSH120H90SM4Q中为108.52nC，在DMWSH120H28SM4Q中为317.93nC，因此能够执行快速切换，同时降低功率损耗。

Diodes采用平面制造技术开发出全新MOSFET，能在汽车产品应用中提供强大与可靠的效能，提高汲极电流、崩溃（Breakdown）电压、接面温度及功率环形电路，表现优于先前发布的版本。


供货与报价


此系列装置采用 TO247-4（WH型）封装，提供额外的凯氏感测（Kelvin-sensing）接脚。可连接至源极以优化切换效能，实现更高的功率密度。

DMWSH120H90SM4Q与DMWSH120 H28SM4Q均符合AEC-Q101标准，由IATF 16949认证的设施制造，并支持PPAP文件。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.diodes.com。（张怡，产通发布）    （完）