【产通社，7月18日讯】中国科学院（Chinese Academy of Sciences）官网消息，六方氮化硼（hBN）是具有与石墨烯类似的六角网状晶格结构的宽禁带半导体，其大带隙和绝缘性质使其成为极佳的介质衬底材料，同时限制了其在电子学和光电子学器件中更广泛的应用。与hBN片层不同，hBN纳米带（BNNR）可以通过引入空间和静电势的约束表现出可变的带隙。计算预测，横向电场可以使BNNRs带隙变窄，甚至导致其出现绝缘体-金属转变。然而，如何通过实验在BNNR上引入较高的横向电场颇具挑战性。????

近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员王浩敏课题组、南京航空航天大学教授张助华团队、中国科学院上海技术物理研究所研究员胡伟达团队开展研究。合作团队对水吸附锯齿型BNNR（zBNNR）的带隙调制进行系统研究。计算结果表明，吸附在zBNNR两侧的水产生了超过2 V/nm的横向等效电场，从而缩小zBNNR的带隙。通过边缘吸附水分子，研究首次测量了zBNNR器件的栅极调制输运和其对红外光谱的光电响应，这利于基于hBN的光电性质的同质集成。该研究为实现基于六方氮化硼的电子/光电子器件和电路提供了新思路。 ??

相关研究成果以Water induced bandgap engineering in nanoribbons of hexagonal boron nitride为题，在线发表在《先进材料》（Advanced Materials）上。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.cas.cn/syky/202307/t20230714_4929095.shtml，以及http://doi.org/10.1002/adma.202303198。（Donna Zhang，张底剪报）    （完）