【产通社，6月13日讯】随着基于LDMOS技术的三个高性能RF功率晶体管的推出，飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）扩展了其在GSM EDGE无线网络方面的投入。这些器件结合了增强功能，使它们轻松集成到放大器内，同时可提供卓越的性能水平。

MRFE6S9046N（920至960MHz）

对于GSM EDGE的应用，MRFE6S9046N的运行频率为920至960MHz，提供17.8W的平均RF功率输出，19dB的增益，效率高达42.5%，且误差矢量幅度的均方根（RMS）值不超过2.1%。内置于飞思卡尔超模压塑胶封装中，该封装是精确机械公差和成本效率的结合。此外，该封装是表面安装的，这使它能够支持自动化的制造流程。而且，增强型的内部阻抗匹配能使制造商更轻松地适应印刷电路板的变化。内部输出匹配不仅在基本频率上实现了用户友好的终端阻抗，而且还包括赖以实现更高效率的第二和第三个谐波终端，以符合F级放大器的理论。

MRF8S9100H/HS（920至960MHz)与MRF8S18120H/HS（1805至1880MHz）

这些28V的器件专为GSM与EDGE系统中的AB级与C级的操作而设计。在GSM EDGE业务中，MRF8S9100H/HS在940MHz运行时提供45W的平均功率，19.1dB的增益，44%的效率以及均方根（RMS）值为2.0%的误差矢量幅度（EVM）。

在GSM EDGE业务中，MRF8S18120H/HS在1840MHz运行时提供46W的平均功率，18.2dB的增益，42%的效率以及均方根（EVM）值为1.7%的误差矢量幅度。MRF8S9100H/HS与MRF8S18120H/HS内置在结实的气腔陶瓷封装中。MRF8S9100H/HS还能够在GSM 800频段中操作，而MRF8S18120H/HS支持在GSM 1900频段中的操作。所有这三个器件都是内部匹配的，以简化电路设计，符合RoHS规范，并且还包含内部ESD保护电路。

定价和供货情况

MRFE6S9046N现已成批生产，并开始提供样品。MRF8S9100H/HS与MRF8S18120H/HS现在也处于样品性能试验阶段，预计2009年7月全面投入生产。参考测试设备将与预期于2009年7月生产的大型信号模型一起提供。

查询进一步信息，请访问http://www.freescale.com。