【产通社，7月8日讯】杭州士兰微电子股份有限公司（Silan Microelectronics；股票代码：600460）官网消息，其近期推出的高性能的汽车驱动模块——600A/1200V IGBT模块（B3模块）, 能够提升新能源汽车充电速度和行驶动力，为用户带来更高的效率和更好的体验。


产品特点


该模块产品阻断电压可以达到1200V，可以满足800V平台新能源汽车快速充电的需求，在5C倍率的充电速度下，可以实现5min充电0-80%。同时，该模块峰值工况下支持850V电压，输出电流350-400Arms，输出动能强，汽车加速快，这对于追求速度与激情的消费者来说是极其重要的。

士兰微电子基于自主研发的精细沟槽FS-V技术开发的这款六单元拓扑模块，可以为车辆提供高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级特性，从而为严苛的环境条件下的逆变器运行提供更可靠的保障。

与传统的驱动模块相比，士兰600A/1200V IGBT模块的电流密度更高，可以将更多的功率输出到驱动轴，提高车辆的加速性能和行驶距离。此外，该模块还具有高短路能力和高阻断电压等级，可以保护逆变器免受突发电流和电压的损害，从而延长逆变器的寿命。

该模块IGBT芯片采用士兰最新一代的场截止5代（Field-Stop V）技术和最先进的精细沟槽技术，较之前常规IGBT工艺具有更窄的台面宽度，用于降低饱和压降，提高器件的功率密度，缩小芯片的尺寸；且硅厚度只有110um，可以使得器件-40度下耐压大于1200V，大大降低了器件的饱和压降和关断损耗；其低 VCE(sat)特性使该模块具备正温度系数，具有较低的静态损耗，以及低开关损耗，可以增大模块的输出能力，提高整个电控系统的效率；采用导热性优良的DBC，进一步降低模块热阻，提高输出能力。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.silan.com.cn。（张怡，产通发布）     （完）