【产通社，7月6日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官网消息，其TPH3R10AQM 100V N沟道功率MOSFET采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造，适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路等应用，包括数据中心和通信基站等通信设备的电源，开关电源（高效率DC-DC转换器等）。


产品特点


TPH3R10AQM具有业界领先的3.1mΩ最大漏极-源极导通电阻，比东芝使用早期工艺的100V产品“TPH3R70APL”低16%。通过同样的比较，TPH3R10AQM将安全工作区扩展了76%，使其适合线性模式工作，而且还降低了导通电阻，同时扩大了安全工作区的线性工作范围，减少了并联数量。此外，其栅极阈值电压范围为2.5-3.5V，不易因栅极电压噪声而发生故障。


供货与报价


新产品采用高度兼容的SOP Advance(N)封装，于今日开始支持批量出货。查询进一步信息，请访问官方网站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news.html。（张怡，产通发布）    （完）