【产通社，6月20日讯】普冉半导体（上海）股份有限公司（Puya Semiconductor；股票代码：688766）官网消息，其GS N系列产品充分发挥公司的工艺和设计创新优势，基于业内领先的40nm SONOS 先进制程，在超低电源电压、电压范围、读写功耗、数据传输速度等参数指标上均达到业界领先水平，能够更加充分的满足市场对于更低功耗、更宽电压范围、更灵活的操作模式、更可靠性能以及更低成本等复合要求。在针对基于嵌入式SoC、手持移动应用、多媒体信息处理等场景中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。

实测数据显示，GS N系列产品对比公司2020年发布的40nm 1.8V产品，相同电流下的功耗降低了38%；相同频率下的四线读取功耗降低了60%，有效延长了设备的续航时间。

普冉GS N系列可提供16Mb-64Mb容量样品，更多容量将陆续推出。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.puyasemi.com。（张怡，产通发布）     （完）