【产通社，5月26日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官网消息，其SSM14N956L 12V共漏极N沟道MOSFET额定电流为20A的，可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。


产品特点


锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。

SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗，而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701（2.74×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）。

主要特性包括：
- 业界领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V；
- 业界领先的[1]低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V；
- 小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）；
- 共漏极结构，可方便地用于电池保护电路。


供货与报价


该产品开始支持批量出货。东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.global.toshiba/ww/top.html。（张怡，产通发布）    （完）