【产通社，4月10日讯】联华电子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代码：UMC；TWSE股票代码：2303）官网消息，力旺电子（eMemory）可变电阻式存储器（RRAM）硅智财已通过联电22纳米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式存储器解决方案，未来双方也将持续合作开发车用规格的RRAM。 

力旺电子提供的8Mb RRAM IP具有额外的16Kb信息储存区块和内部修复与错误侦测/修正等关键功能，可用于IoT设备中的微控制器和智慧电源管理IC的编码储存，还可以支援AI之存储器内运算架构。联电提供22纳米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与BCD、高压等特殊制程整合的优势。 

力旺电子技术长暨第二事业群总经理林庆源表示：“对40纳米、22纳米和高阶制程而言，RRAM是不可或缺的多次编程嵌入式存储器选项。力旺的下一个RRAM开发目标是对应汽车应用需求，在22纳米0.8V/2.5V平台实现更高的储存密度（16Mb）、更快的速度、更高的写入温度耐受度和持续提升的覆写能力。此外，我们继续推进在0.8V/1.8V ULP上的开发。凭借其用于读取和写入模式的低工作电压，力旺的RRAM将成为主流技术平台上最具成本效益的eFlash解决方案，并可扩展至更多制程节点。” 

联电技术开发部副总经理徐世杰表示：“随着AIoT应用不断地拓展，市场对低功耗非挥发性存储器的需求逐渐增加。力旺电子的IP成功的在联电22纳米RRAM平台完成验证，为客户在开发下一代产品时提供更强大的存储器解决方案。联电致力于提供多元和差异化的特殊制程技术，我们很高兴与力旺电子合作，持续强化AIoT与车用市场的嵌入式存储器方案。” 

力旺电子的RRAM IP具有一万次覆写能力和长达10年的数据保留，并可承受高达105度的高温。为了方便用户，这款RRAM IP设计具备友善的界面、完整的使用者模式和测试模式，并可在0.8V/2.5V标称双电压接口下进行编程。RRAM不需对前端制程做额外调整，并采用低温后端制程，几乎不会产生额外的热预算，因此备受市场期待。与分离闸快闪存储器（split-gate Flash）相比，RRAM具有相对简单的结构、使用较少层的光罩、较友善的制程和更高的CMOS制程兼容性。在对性能要求相对严格的汽车应用中，RRAM与MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com，以及http://www.ememory.com.tw。（张怡，产通发布）    （完）