【产通社，4月8日讯】北京兆易创新科技股份有限公司（Gigadevice Semiconductor；股票代码：603986）官网消息，其在2023年度中国IC设计成就奖颁奖典礼暨中国IC领袖峰会上，凭借着出色的技术突破能力和产品创新能力荣获“十大中国IC设计公司”奖项。与此同时，旗下GD5F1GM7存储器和GD32F470微控制器分别获得了“年度最佳存储器”和“年度最佳MCU”两大热门IC产品类奖项。

中国IC设计成就奖是中国半导体领域的顶级盛典之一，至今已连续举办了二十一年，能获得IC设计成就奖的表彰，充分体现了获奖企业的行业领先地位和卓越的产品研发及服务支持能力。

GD5F1GM7是兆易创新推出的新一代24nm工艺制程的NAND Flash存储器产品，提供3V和1.8V两种电压版本。该系列优化了产品设计，内置8bit ECC模块，可达到10年数据保持，8万次擦写寿命。频率最高可达133MHZ，支持DTR功能，极大提高了产品的传输速度。1.8V产品支持Deep power down模式，待机功耗可低至1uA，对于低功耗需求有巨大优势。在封装设计上，该系列提供了更小的WSON8 6mmx5mm封装，进一步减小了存储芯片在PCB上的芯片面积，能够为IoT、穿戴类等新兴消费类市场应用提供高性价比，大容量的代码储存方案。

GD32F470系列高性能MCU基于Arm? Cortex?-M4内核，主频高达240MHz，可支持算法复杂度更高的嵌入式应用，并具备更快速的实时处理能力。GD32F470配备了512KB到3072KB片上Flash，256KB到768KB的SRAM，具备业界领先的大容量存储优势。在制造工艺方面，此MCU采用40nm工艺制程，可以降低动态和静态功耗，从而有效延长电池供电系统的使用时间。另外，GD32F470系列继承了GD32F4系列丰富的通信接口和增强型安全功能，与现有GD32F4系列产品完全兼容，支持开发者在现有设计上实现无缝切换，能够轻松推动高端应用转换和研发升级。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.gigadevice.com/zh-hans/press-release/。（张怡，产通发布）    （完）