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东芝TPH9R00CQ5 150V N沟道功率MOSFET有助于提高电源效率
2023/4/4 7:49:28     

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【产通社,4月4日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)官网消息,其150V N沟道功率MOSFET---TPH9R00CQ5采用最新一代U-MOX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。


产品特点


TPH9R00CQ5具有行业领先的9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与现有产品TPH1500CNH1相比降低了约42%。同时,与东芝现有产品TPH9R00CQH4相比,反向恢复电荷减少约74%,反向恢复[5]时间缩短约44%,上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。

新产品面向同步整流应用,降低了开关电源的功率损耗,有助于提高系统效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压,有助于降低电源的EMI。主要特性包括:
- 业界领先的低导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)
- 业界领先的低反向恢复电荷:Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
- 业界领先的快速反向恢复时间:trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
- 高结温额定值:Tch(最大值)=175°C

此外,东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外,现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”与“采用MOSFET的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外,新产品还可用于已发布的“1kW全桥DC-DC转换器”参考设计。


供货与报价


该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance(N)封装,开始支持批量出货。查询进一步信息,请访问官方网站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news.html。(张怡,产通发布)     (完)
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