【产通社，2月10日讯】瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics；TSE东京证券交易所股票代码：6723）官网消息，其全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT和SiC MOSFET等高压功率器件。

瑞萨电子汽车模拟应用特定业务部副总裁大道昭表示：“瑞萨很高兴面向车载应用推出具有高隔离电压和卓越CMTI性能的第二代栅极驱动IC。我们将继续推动针对电动车辆的应用开发，打造能减少电力损失并满足用户系统高水平功能安全性的解决方案。”


产品特点


栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kVrms隔离器，比上一代产品的2.5kVrms隔离器更高，可支持耐压高达1200V的功率器件。此外，全新驱动IC拥有150V/ns或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。新产品在小型SOIC16封装中实现栅极驱动器的基本功能，使其成为低成本变频器系统的理想选择。

RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除适用于牵引逆变器外，该栅极驱动器IC还非常适合采用功率半导体的各类应用，如车载充电器和DC/DC转换器。为助力开发商将产品迅速推向市场，瑞萨推出xEV逆变器套件解决方案，该方案将栅极驱动IC与MCU、IGBT和电源管理IC相结合，并计划在2023年上半年发布包含新栅极驱动IC的版本。


供货与报价


RAJ2930004AGM栅极驱动IC现可提供样片，并计划在2024年第一季度量产。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.renesas.com/products/automotive-products/automotive-power-management/motor-and-solenoid-drivers/raj2930004agm-gate-driver-hevev。（robin zhang, 张底剪报）    （完）