【产通社，9月16日讯】联华电子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代码：UMC；TWSE股票代码：2303）官网消息，其与Avalanche Technology推出高可靠度的持续性静态随机存取存储器（Persistent Static Random Access Memory, P-SRAM）。这个备受期待的第三代产品平台建构于Avalanche Technology最新一代自旋转移矩磁性存储器（Spin-Transfer-Torque MRAM, STT-MRAM）技术以及联华电子的22纳米制程，相较于现有的非挥发性解决方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的优势。

Avalanche Technology营销与商务发展副总经理Danny Sabour表示，此次新产品的推出，真正实现了市场对高耐用性、高可靠性和高密度的各项应用需求，且无需外部电池、错误修正代码（Error-Correcting Code, ECC）或耗损平均技术。有鉴于现今无所不在的感测装置以及日益升高的资料处理需求推升对耐磨损、高持久性存储器的需要，我们将很快启动进一步提高16Gb单晶片解决方案的开发工作。 

联华电子前瞻发展办公室暨研究发展副总经理洪圭钧表示，我们很高兴与Avalanche Technology这样的技术领导厂商合作，将此独立的存储器解决方案投入生产，这是一个重要的里程碑，有助于将坚实且高度可扩展的MRAM解决方案商业化。联电凭借着多元的晶圆专工技术和卓越的制造能力，并透过此次与Avalanche Technology的合作，将满足市场对持久性存储器不断提升的需求。

Avalanche Technology首席技术长兼技术与晶圆专工业务副总经理怀一鸣表示，自2006年起，Avalanche Technology持续专注于开发创新垂直式磁穿隧接面（perpendicular Magnetic Tunnel Junction, pMTJ）结构的STT-MRAM技术。我们以领先业界的pMTJ和CMOS设计为基础，透过我们的合作伙伴联华电子，让最先进的高密度和高性能STT-MRAM产品得以问世。


产品特点


Parallel x 32系列作为标准产品提供各种密度选项，并具有异步SRAM兼容读/写时序。其数据始终是非挥发性的，并具备领先业界的 >1014次写入周期耐久性和1,000年保存期（在85°C下）。两种密度选项均采用小尺寸142-ball FBGA（15mm x 17mm）封装。这些装置都经由JEDEC认证流程确保宽广的（-40°C至125°C）工作温度范围，每项装置在交付给客户前并都经过48小时的老化测试。其他额外认证选项亦提供给合作伙伴选择。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com，以及http://www.avalanche-technology.com/products/discrete-mram/space/。（张怡，产通发布）    （完）