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南麟电子获基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法发明专利

2022/9/14 8:59:37

【产通社，9月14日讯】上海南麟电子股份有限公司（Shanghai Natlinear Electronics；NEEQ股票代码：831394）消息，其2022年9月9日收到中华人民共和国家知识产权局颁发的《基于肖特基MOSFET的单片集成式光电耦合器及制备方法》发明专利证书（证书号第5444918号），发明人刘桂芝、马丙乾，专利号ZL202210700978.3。

查询进一步信息，请访问官方网站

http://www.natlinear.com。（Donna Zhang，张底剪报）（完）

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