【产通社，9月1日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官网消息，其推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET TWxxNxxxC系列。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。主要应用包括：开关电源（服务器、数据中心、通信设备等），电动汽车充电站，光伏变频器，不间断电源（UPS）。


产品特点


新产品的单位面积导通电阻（RDS(ON)A）下降了大约43%，从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大约80%，这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约20%，同时降低导通电阻和开关损耗。因此，新产品有助于提高设备效率。

东芝将进一步壮大其功率器件产品线，强化生产设施，并通过提供易于使用的高性能功率器件，努力实现碳中和经济。


供货与报价


该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。查询进一步信息，请访问官方网站http://toshiba.semicon-storage.com。（张怡，产通发布）    （完）