【产通社，8月29日讯】苏州纳芯微电子股份有限公司（Suzhou Novosense Microlectronics Co.,Ltd；股票代码：688052）官网消息，其新推出的NSi6611A/NSi6651A单通道智能隔离式栅极驱动器，设计用于2121V直流工作电压以下应用中的SiC MOSFET，IGBT的驱动，主要应用场景包括：新能源汽车主驱、发动机、升压DCDC，工业变频器，空调压缩机，光伏逆变器、储能、UPS、高功率电源等。


产品特点


NSi6611/NSi6651具有强大的驱动能力，可以提供最大10A的拉灌电流能力，支持轨到轨输出和分离输出。它可以提供完善的保护功能，如快速过流和短路保护、故障软关断功能，弥勒钳位功能、欠压保护，且短路故障或欠压发生时，通过单独的引脚报告反馈。NSi6611支持ASC特色的功能，可用于在紧急情况下强制输出为高。

NSi6611/NSi6651输入端与输出端采用双电容增强隔离技术，且采用纳芯微Adaptive OOK编码技术, 支持150kV/μs的最小共模瞬变抗扰度（CMTI），提高系统鲁棒性。主要特性包括：
.超强驱动能力，可以提供最大10A的拉灌电流能力，支持轨到轨输出和分离输出。
.完善的保护功能：DESAT短路保护、故障软关断、弥勒钳位、欠压保护；短路故障或欠压发生时，还能通过单独的引脚报告进行反馈。
.输入与输出端均采用双电容增强隔离技术，外加纳芯微Adaptive OOK编码技术，最小共模瞬变抗扰度（CMTI）高达150kV/μs，提高了系统的鲁棒性。
.驱动器侧电源电压VCC2最大为32V，输入侧VCC1为3V至5.5V电源电压供电；VCC1和VCC2都具有欠压保护（UVLO）。
.极低的传输延时，低至80ns。
.NSi6611支持ASC特色的功能，可在紧急情况下强制输出为高。
.工作环境温度：-40℃ ~125℃。
.符合RoHS标准的封装类型：SOW16。

在大功率的应用中，客户一般会选择大功率的管子，IGBT或者SiC。越大功率的管子，功率管的Qg也会越大，则对驱动电路的驱动电流能力的要求就会越高。客户的传统方案会使用驱动电流小的隔离驱动，加上额外的Buffer电路来实现驱动电流增大。由于Buffer电路价格高，且占用PCB体积较大，同时还需要额外的电路做电路匹配，给设计带来了难度，如果设计不当，会导致在驱动电路产生额外的寄生电感和寄生电容，降低了系统的稳定性。 

如果系统选用NSi66x1A，由于NSi66x1A可以提供最大10A的拉灌电流能力，它可以在不需要额外的Buffer电路，直接驱动大功率的管子。同时它内部集成弥勒钳位，且支持分离输出，使用简单，外围器件少，性价比高。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://wwww.novosns.com。（张怡，产通发布）    （完）