 【产通社,8月13日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)官网消息,其CSLZ系列齐纳二极管可保护半导体器件,避免受开关浪涌/感应雷电浪涌,以及静电放电(ESD)的影响。本产品线有10款产品,齐纳电压覆盖范围5.6V至30V(典型值),主要用于电子设备(物联网设备,移动设备等)。 产品特点 新品齐纳二极管可防止半导体器件受纳秒级ESD ,微秒级到毫秒级开关浪涌,以及接近直流的过压脉冲的影响。产品在东芝齐纳二极管首次采用超小型SOD-962封装,安装面积为0.1984mm2(典型值),与东芝目前采用SOD-523封装的产品相比,占位面积减小约85%,允许在设备上进行高密度安装。 产品有助于有效利用电路板,提高设备可靠性。主要特性包括: - 适合高密度安装的SOD-962封装:0.62×0.32×0.3mm(典型值) - 防止微秒级到毫秒级脉冲宽度浪涌电压的影响 - 宽齐纳电压单位系列:VZ(典型值)=5.6V至30V 供货与报价 查询进一步信息,请访问官方网站 http://toshiba.semicon-storage.com。(张怡,产通发布)  (完)
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