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纳芯微电子Novosense NSi1303/5芯片具有极低的失调误差及温漂
2022/8/1 8:59:21     

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【产通社,8月1日讯】苏州纳芯微电子股份有限公司(Suzhou Novosense Microlectronics Co.,Ltd;股票代码:688052)微信公众号消息,其全新研发的隔离式Sigma-Delta调制器NSi1303、NSi1305系列芯片具有极低的失调误差及温漂,高达150kV/us高共模抗扰以及通过UL1577认证的5000Vrms电气隔离性能,以上技术均适用于工业及汽车市场典型应用中应对那些复杂的高压系统的电流采样设计。

在工业和汽车市场中,例如电机驱动、车载充电机、充电桩、光伏逆变器、储能等涉及高压、大功率的系统应用中, 受到电噪声、机械冲击、振动、极端温度、污染等恶劣影响的可能性较高,无论是哪种应用场景,工程师们都在追求更可靠、稳定的隔离电压、电流采样方案,以达到将高压和低压隔离的目的。


产品特点


NSi1303芯片集成了内部时钟,并具有曼彻斯特编码 (NSi1303Ex)和未编码(NSi1303M/Dx)两个版本,NSi1305则输出数据与外部时钟同步,时钟下降沿有效,充分满足客户端对时序的多种不同需求。

隔离放大器和隔离Sigma-Delta调制器都可用来将高压端采集到的信号反馈至位于低压侧的控制器。相较于隔离放大器,隔离Sigma-Delta调制器正在为大家提供一种更高精度的隔离采样方式。直接输出数字量信号至MUC端口,既省去隔离放大器后级的差分转单端运放及ADC,也使得整体采样精度、采样带宽和延迟性能得以显著提升。

NSi1303是集成了内部时钟的隔离式Sigma-Delta调制器,内部时钟具有10MHz和20MHz两种选项,输出数据流与内部时钟保持同步。NSi1303对应的线性差分输入信号范围为±50mV(满量程±64mV)或±250mV范围(满量程±320mV),±50mV输入范围对应4.9k差分输入阻抗,±250mV输入范围对应22k差分输入阻抗。


供货与报价


查询进一步信息,请访问官方网站http://wwww.novosns.com。(张怡,产通发布)    (完)
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