【产通社，7月28日讯】安世半导体（Nexperia）官网消息，其PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。


产品特点


新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。

RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低，从而增强可穿戴设备的用户舒适度。

具体而言，在VGS =4.5V时，PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分别为50mΩ和55mΩ。因此，在市场上类似的30V MOSFET中，PMCB60XN和PMCB60XNE单个芯片面积导通电阻最低。此外，PMCB60XNE在集成于1.0×0.6×0.2mm的DSN1006小型外形中，还可提供额定2kV ESD保护（人体模型 – HBM）。这两款MOSFET的额定漏极电流最高均可达4A。

除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外，Nexperia还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN在VGS = 4.5V时的最大RDS(on)为16mΩ，在0.96×0.96×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具备市场领先的效率。


供货与报价


30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN现已供货，可从Nexperia获得。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.com/mosfets。（张怡，产通发布）    （完）