【产通社，7月16日讯】三星电子有限公司（Samsung Electronics；KRX韩国证券交易所股票代码：005930.KS）官网消息，其基于3nm全环绕栅极（Gate-All-AroundT, 简称GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。三星电子首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管”（MBCFET Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。

三星电子总裁兼代工业务负责人Siyoung Choi博士表示：“一直以来，三星电子不断将新一代工艺技术应用于生产制造中。例如：三星的第一个High-K Metal Gate（HKMG）工艺、FinFET以及EUV等。三星希望通过首次采用3nm工艺的“多桥-通道场效应晶体管”（MBCFET），将继续保持半导体行业前沿地位。同时，三星将继续在竞争性技术开发方面积极创新，并建立有助于加速实现技术成熟的流程“。


产品特点


3nm GAA技术采用了宽通道的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA 技术相比能提供更高的性能和能耗比。3纳米GAA技术上，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而能够满足客户的多元需求。此外，GAA的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO）非常有利，有助于实现更好的PPA优势。与5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；而第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

随着工艺节点变得越来越小，而芯片性能需求越来越大，IC设计师们需要面对处理海量数据，以及验证功能更多、扩展更紧密的复杂产品的挑战。为了满足这些需求，三星致力于提供更稳定的设计环境，以帮助减少设计、验证和批准过程所需的时间，同时也提高了产品的可靠性。

自2021年第三季度以来，三星电子一直通过与包括ANSYS、楷登电子、西门子和新思科技在内的三星先进晶圆代工生态系统SAFE（Samsung Advanced Foundry Ecosystem）合作伙伴的紧密协作，提供成熟/可靠的的设计基础设施，使其能够在更短的时间内完善其产品。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.samsung.com/semiconductor/cn。（张怡，产通发布）    （完）