【产通社，7月9日讯】安世半导体（Nexperia）官网消息，其推出采用超小DFN封装的新系列20V和30V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。


产品特点


新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着功耗的增加，散热也成为一个不容忽视的问题。

Nexperia作为分立器件生产行业领导者，凭借数十年经验的沉淀，设计出这一超小尺寸的创新型MOSFET系列，成功地克服了这两个问题。超薄型DFN0603封装，尺寸仅为0.63×0.33×0.25mm，比第二小封装(DFN0604)的MOSFET使用的空间少13%。令人惊叹的是，这种尺寸上的缩小毫不影响器件性能，事实上，这些MOSFET的RDS(on)减少了74%，这有助于提高效率，从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。

该新系列小型MOSFET包括：
  PMX100UN 20V，N沟道Trench MOSFET
  PMX100UNE 20V，N沟道Trench MOSFET，带2kV ESD保护(HBM)
  PMX300UNE 30V，N沟道Trench MOSFET
  PMX400UP 20V，P沟道Trench MOSFET


供货与报价


样品现已供货。Nexperia计划于2022年下半年为该系列再增加两款MOSFET。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.com/DFN0603-MOSFETs。（张怡，产通发布）    （完）