【产通社，4月24日讯】飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)消息，其业界最低RDS(ON)的20V 2mm x 2mm x 0.55mm薄型MicroFET MOSFET器件——FDMA6023PZT是采用紧凑、薄型封装，能够满足便携设计的严苛要求，采用延长电池寿命的技术，实现更薄、更小的应用。

FDMA6023PZT采用超薄的微型引线框架的MicroFET封装，相比传统的MOSFET，它具有出色的热阻，能提供超卓的功率耗散，并可减少传导损耗。该器件采用飞兆半导体性能先进的PowerTrench MOSFET工艺技术，获得极低的RDS(ON)值、栅级电荷(QG)和米勒电荷(QGD) — 这些都显箸减少传导损耗和提升开关性能。

FDMA6023PZT是飞兆半导体全面的MicroFET MOSFET产品系列的一员，在应对当今功能丰富之便携应用的功率设计挑战方面起着关键的作用，该产品系列包括20V P沟道PowerTrench MOSFET器件FDMA1027PT，以及带有肖特基二极管的20V P沟道PowerTrench MOSFET器件FDFMA2P853T。与常用于低压设计的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET器件相比，这些产品的面积减小了55% 而高度则降低达50%。

FDMA6023PZT现提供样品，订购1000个时单价为0.48美元，交货期为收到订单后8至10周内。查询进一步信息，请访问http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA6023PZT.pdf。（隽科公关有限公司）