【产通社，6月29日讯】Transphorm公司（OTCQB股票代码：TGAN）官网消息，其推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。

Transphorm现场应用和技术销售副总裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm独具优势，可提供唯一能适用于广泛应用的、涵盖众多功率水平的氮化镓FET组合。我们的电源适配器参考设计凸显出我们的低功率能力。我们提供与控制器无关的PQFN和TO-220器件，可以极大地简化设计。这些优势以及其他特点有助于客户快速、轻松地将具有突破性功率效率水平的氮化镓解决方案推向市场。这正是Transphorm氮化镓器件的价值所在。”


产品特点


电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与175毫欧的e-mode氮化镓器件相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃时显示出更低的导通电阻上升幅度，并在50%和100%（全）功率下拥有更高的性能。

Transphorm的参考设计组合包括五款开放框架的USB-C PD参考设计，频率范围从140到300kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor合作开发的一款65W有源钳位反激模式（ACF）参考设计，运行频率为140kHz，峰值效率为94.5%。
- 45W适配器参考设计采用准谐振反激模式（QRF）拓扑结构，可提供24W/in3的功率密度；
- 65W适配器参考设计采用ACF或QRF拓扑结构，可提供30W/in3的功率密度；
- 100W适配器参考设计采用功率因数校正（PFC）+QRF拓扑结构，可提供18W/in3的功率密度。

Transphorm的参考设计组合还包括两款开放框架的USB-C PD/PPS参考设计，频率范围110到140 kHz。Transphorm与Diodes Inc.合作开发了这两款解决方案，利用该公司的ACF控制器实现了超过93.5%的峰值效率。
- 65W适配器参考设计采用ACF拓扑结构，可提供29W/in3的功率密度；
- 140W适配器参考设计采用PFC+ACF拓扑结构，可提供20W/in3的功率密度。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.transphormusa.com。（张怡，产通发布）    （完）