【产通社，4月29日讯】吉林华微电子股份有限公司（Jilin Sino-Microelectronics；股票代码：600360）2021年年度报告显示，其报告期内实现营业收入221,005.52万元，同比上升28.60%；实现归属于上市公司股东的净利润11,570.73万元，同比上升238.50%。

报告期内，公司全力推进新一代IGBT及模块、中低压MOS、超结MOS、高压FRD、平面SCR、第三代半导体等系列产品的开发以及推广。产品性能、质量及供货能力持续提升，Trench FS IGBT工艺平台及IPM封装平台，产品性能优异、系列齐全，在白色家电、工业控制领域销量行业领先；在光伏逆变领域，IGBT产品在行业领军客户实现批量销售；完成600V-700V超结MOS平台建设，进一步丰富公司在电源领域和工控领域的产品系列；Trench SBD产品在光伏领域发力，在光伏标杆客户中形成稳定销售；在充电桩领域以及空调领域，FRD产品成功实现国产替代；完成TVS及齐纳二极管等系列产品平台建设。

报告期内，公司继续推进研发创新，提升核心技术能力，同时加强知识产权保护，本年度累计申请专利38项，获得授权专利18项。研发方面，完成了多层外延高压超级结技术、载流子存储沟槽IGBT技术、中压SGT MOSFET等工艺技术研发，实现了具有自身特色的功率半导体工艺平台的建设，进一步完善了产品结构，提升产品竞争力。
（1）超结MOSFET：在第一代多层外延技术的基础上，开发第二代多层外延高压超级结技术，较第一代产品单位面积电阻降低20%，产品达到国内外先进水平，进一步提高盈利能力。
（2）IGBT：根据在白色家电、工业变频、UPS和光伏等领域应用的不同特点，有针对性地优化IGBT产品参数，形成适用于不同应用领域的低、中、高频系列的IGBT产品及模块。开发载流子存储沟槽IGBT技术，较上一代Trench IGBT电流能力提升25%，有望在未来几年进一步提升公司IGBT产品的综合竞争力。
（3）中低压MOS：完成30V-200V Trench MOS产品系列化，具有低导通电阻兼顾耐冲击能力的特点，在变频、BMS和UPS领域发力；80V、100V SGT MOS平台进一步完善，产品达到国内先进水平，在电源、BMS领域广泛应用。
（4）第三代半导体：完成650V-1200V、5A-40A SiC SBD产品开发，在快充、光伏、大功率电源领域开始示范性应用；推出65W快充用650V GaN器件，产品效率与国际水平相当。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.hwdz.com.cn/Detail/2518。（Donna Zhang，张底剪报）     （完）