【产通社，4月25日讯】东芯半导体股份有限公司（Dosilicon Co., Ltd.；股票代码：688110）2021年年度报告显示，其在NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节都拥有了自主研发能力与核心技术。报告期内，公司申请专利2项（其中发明专利2项），公司获得专利授权3项（其中发明专利3项）；申请集成电路布图设计权26项，获得集成电路布图设计权14项；申请注册商标3项，获得注册商标1项。截至报告期末，公司拥有境内外有效专利78项、软件著作权13项、集成电路布图设计权48项、注册商标9项。

截至报告期末，公司累计申请境内外专利87项，获得专利授权69项，专利涉及NAND、NOR、DRAM等存储芯片的设计核心环节，公司技术实力不断提升。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.dosilicon.com。（Donna Zhang，张底剪报）    （完）