【产通社，4月24日讯】东芯半导体股份有限公司（Dosilicon Co., Ltd.；股票代码：688110）2021年年度报告显示，其聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM存储芯片的设计、生产和销售，并拥有独立自主的知识产权，是目前国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。报告期实现营业收入113,428.13万元，同比增长44.62%，实现归属于上市公司股东的净利润26,179.62万元，同比增长1240.27%。

公司聚焦国内先进工艺，与中芯国际深度合作，基于SMIC 19nm工艺平台，在2021年下半年完成了SLC NAND Flash首颗流片。
为满足多样化的终端需求，基于SMIC 24nm工艺平台，实现新产品最大至32Gb产品设计流片，实现1Gb到32Gb系列产品设计研发的全覆盖。
对已有产品进行不断迭代升级，持续改善中芯国际24nm平台的工艺和产品良率。
实现大容量NOR Flash设计流片，及PSRAM产品的设计流片，为下一步多样化产品设计、降低成本、提升产品盈利能力打下基础。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.dosilicon.com。（Donna Zhang，张底剪报）    （完）