【产通社，4月9日讯】联华电子(UMC)消息，已采用高效能(High Performance)40纳米制程技术产出客户产品。此大晶方尺寸的可编程逻辑芯片展现了优越的生产周期时间以及良率表现，采用了三闸极氧化层与铜/低介电质12层金属层技术，与前一代65纳米产品相比，可减少65%的耗电并提升密度达两倍以上。联华电子客户已开始将此先进的40纳米产品大量出货至其用户端，作为产品样本。

联华电子独立研发的高效能45/40纳米逻辑制程采用了先进的浸润式微影术，并且结合最新技术，例如超浅接点技术、迁移率提升技术，以及超低介电质技术，以实现耗电与效能的优化。

联华电子提供的多重电压与晶体管选择，可满足广泛应用产品的需求，包括系统单芯片设计的高速、低耗电、以及模拟/射频等需求。目前已有多家客户将其45/40纳米设计投单予联华电子，有多项设计正在制造过程的不同阶段进行中。

查询进一步信息，请访问http://www.umc.com。(Sandy Yen)