【产通社，4月19日讯】上海芯导电子科技有限公司（Shanghai Prisemi Electronics；股票代码：688230）2021年年度报告显示，其核心技术均来自自主研发，经过多年的技术积累和持续创新，在功率器件和功率IC工艺设计方面积累了多项核心技术。

在功率器件方面：公司的一种降低芯片反向漏电流的技术实现了TVS、肖特基、稳压管等产品的低漏电和高温下的可靠性，使产品在应用过程中更加安全和稳定；深槽隔离及穿通型NPN结构技术实现了TVS产品的高瞬态泄放电流、低钳位电压的特性，同时实现了产品封装的小型化，不但使产品在应用中减少了空间的占用，同时提升了浪涌防护能力，对产品的保护效果更加优异。

MOSFET的沟槽优化技术实现了MOSFET产品的低导通阻抗、低损耗特性，使产品在应用中大幅降低了功耗，减少了发热；沟槽MOS型肖特基势垒二极管的改进技术实现了肖特基产品低正向导通压降、低损耗的特性，在使用过程中降低了产品功耗。

在功率IC方面，可连续调节占空比的环路控制技术以使功率IC产品更快速响应负载变化，可调输出电压范围更大；一种复合DC-DC电路技术不需要额外补偿电路，可以使功率IC产品具有负载响应快、精度高的优点；一种负载识别电路技术不需要额外的采集装置，即可完成负载大小的识别，实现简单且高效。
此外，公司新增加的核心技术一种GaN HEMT器件制备技术，优化了终端结构，降低工艺开发过程引入的漏电风险，同时优化了终端结构，使得我司GaN HEMT产品具有芯片良率高、可靠性良好的特性。

截至2021年12月31日，公司现行有效专利累计40项，其中发明专利16项，另有集成电路布图设计专有权40项，商标5项。其中，2021年度获得新增授权专利13项，新增集成电路布图设计5项。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.prisemi.com。（张怡，产通发布）    （完）