【产通社，4月6日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官网消息，其150V N沟道功率MOSFET---TPH9R00CQH器件采用最新一代U-MOSX-H工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。


产品特点


与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性之间的平衡，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance（N）这两种类型的表面贴装封装。

与此同时，东芝还提供各类工具，为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型，现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%，漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。主要特点包括：
- 优异的低损耗特性；
-（在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡）；
- 卓越的导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V；
- 高额定结温：Tch（最大值）＝175°C。


供货与报价


该产品于今日开始支持批量出货。查询进一步信息，请访问官方网站http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html。（张怡，产通发布）    （完）