【产通社，3月28日讯】罗姆株式会社（ROHM Semiconductor；东京证交所股票代码：6963.T）官网消息，其已确立150V耐压GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）的量产体制，该系列产品的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）高达8V，非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。

名古屋大学研究生院工学研究科山本真义教授表示：“今年，日本经济产业省制定了到2030年新建数据中心节能30%的目标，目前距实现该目标只有不到10年的时间。然而，这些产品的性能不仅涉及到节能，还关系到作为社会基础设施的坚固性和稳定性。针对未来的这种社会需求，ROHM开发了新的GaN器件，不仅更加节能，而且栅极耐压还高达8V，可以确保坚固型和稳定性。以该系列产品为开端，ROHM通过融合其引以为豪的模拟电源技术‘Nano Pulse Control’，不断提高各种电源的效率，在不久的将来，应该会掀起一场巨大技术浪潮，推进实现‘2040年在半导体和信息通信行业实现碳中和’的目标。”


产品特点


一般而言，GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能，因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低，在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。针对这一课题，ROHM的新产品通过采用自有的结构，成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V。这样，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的设计裕度和可靠性。

该系列产品采用支持大电流且具有出色散热性的通用型封装，这使得安装工序的操作更容易。新产品特点如下：

1．采用ROHM自有结构，将栅极-源极间额定电压提高至8V

普通的耐压200V以下的GaN器件在结构上栅极驱动电压为5V，而其栅极-源极间额定电压为6V，其电压裕度非常小，只有1V。一旦超过器件的额定电压，就可能会发生劣化和损坏等可靠性方面的问题，这就需要对栅极驱动电压进行高精度的控制，因此，这已成为阻碍GaN器件普及的重大瓶颈问题。

针对这一课题，新产品通过采用ROHM自有的结构，成功地将栅极-源极间的额定电压从常规的6V提高到了业内超高的8V。这使器件工作时的电压裕度得到进一步扩大，在开关工作过程中即使产生了超过6V的过冲电压，器件也不会劣化，从而有助于提高电源电路的可靠性。

2．采用支持大电流且具有出色散热性的封装

新产品所采用的封装形式，支持大电流且具有出色的散热性能，在可靠性和可安装性方面已拥有出色的实际应用记录，而且通用性强，这使得安装工序的操作更加容易。此外，通过采用铜片键合封装技术，使寄生电感值相比以往封装降低了55％，从而在设计可能会高频工作的电路时，可以更大程度地发挥出器件的性能。

3．在高频段的电源效率高达96.5%以上

新产品通过扩大栅极-源极间额定电压和采用低电感封装，更大程度地提升了器件的性能，即使在1MHz的高频段也能实现96.5%以上的高效率，有助于提高电源设备的效率和进一步实现小型化。


供货与报价


新产品于2022年3月起开始量产，前期工序的生产基地为ROHM Hamamatsu Co., Ltd.（日本滨松市），后期工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.（日本京都市）。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rohm.com.cn。（张怡，产通发布）    （完）