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Toshiba东芝拓展超级结N沟道功率MOSFE DTMOSVI系列
2022/3/9 8:48:07     

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【产通社,3月9日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)消息,其在DTMOSVI系列新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET中推出四款新产品——TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z,它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源。


产品特点


产品线扩展了器件的封装、漏源导通电阻和栅漏电荷。与上一代DTMOSIV-H系列相比,新一代DTMOSVI系列“漏源导通电阻×栅漏电荷”的品质因数降低约40%,关电源效率提高约0.36%。


供货与报价


直插式TO-220封装。查询进一步信息,请访问官方网站http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html。(张怡,产通发布)    (完)
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